碳化硅微粉主要用于3-12英寸的單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體的線切割。是太陽能光伏產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、壓電晶體產(chǎn)業(yè)的工程性加工材料。 　　

碳化硅的主要分析檢測方法： 　　

碳化硅中硅的含量決定碳化硅的硬度。 碳化硅的粒徑大小對線切割影響很大， 但重要的是碳化硅的顆粒形狀。因為線切割時碳化硅為游離狀態(tài)切割 顆粒的形狀變化對切割效率及切割質(zhì)量要重要影響。 　　

檢測辦法：硅的含量需要原子吸收檢測(檢測效率高，數(shù)值較準(zhǔn)確）。 　

化硅粒徑需要電阻法顆粒分析儀（效率高）。 　　

碳化硅粒型檢測需要瑞思RA200顆粒分析儀.（可以分析顆粒形狀系數(shù) 圓度 較準(zhǔn)確）